기사
스트레스균형이 이루어진 Si₃N₄ / SiO₂ / Si₃N₄유전체 멤브레인의 제작 = Fabrication of stress-balanced Si₃N₄ / SiO₂ / Si₃N₄dielectric membrane
표제/저자사항 스트레스균형이 이루어진 Si₃N₄ / SiO₂ / Si₃N₄유전체 멤브레인의 제작 = Fabrication of stress-balanced Si₃N₄ / SiO₂ / Si₃N₄dielectric membrane / 金明奎, 朴東秀, 金昌源, 金鎭燮, 李正熙, 李鍾玄, 孫炳基
형태사항 p. 51-59; 26 cm
주기사항 수록자료: 센서학회지. 한국센서학회. 4권 3호(1995년 8월), p. 51-59 4:3<51 상세보기 ISSN 1225-5475
저자: 김명규, 경북대학교 전자전기공학부
저자: 박동수, 경북대학교 전자전기공학부
저자: 김창원, 경북대학교 센서기술연구소
저자: 김진섭, 인제대학교 전자공학과
저자: 이정희, 경북대학교 전자전기공학부
저자: 이종현, 경북대학교 전자전기공학부
저자: 손병기, 경북대학교 전자전기공학부
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
위로