기사
Hot wall epitaxy 법에 의한 CdIn₂S₄ 단결정 박막의 성장과 광전류 특성 = Growth and photocurrent properties of CdIn₂S₄ / GaAs single crystal thin film by hot wall epitaxy
표제/저자사항 Hot wall epitaxy 법에 의한 CdIn₂S₄ 단결정 박막의 성장과 광전류 특성 = Growth and photocurrent properties of CdIn₂S₄ / GaAs single crystal thin film by hot wall epitaxy / 이상열, 홍광준, 박진성
형태사항 p. 309-318; 26 cm
주기사항 수록자료: 센서학회지. 한국센서학회. 11권 5호(2002년 9월), p. 309-318 11:5<309 상세보기 ISSN 1225-5475
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
위로