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변형된 SSD법에 의한 InP결정 성장 = InP crystal growth by modified SSD method
표제/저자사항 변형된 SSD법에 의한 InP결정 성장 = InP crystal growth by modified SSD method / 송복식, 정성훈, 문동찬, 김선태
형태사항 p. 291-297: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 電氣電子材料學會誌. 韓國電氣電子材料學會. 8卷 3號(1995년 5월), p. 291-297 8:3<291 상세보기 ISSN 1225-6684
저자: 송복식, 광운대학교 전자재료공학과
저자: 정성훈, 광운대학교 전자재료공학과
저자: 문동찬, 광운대학교 전자재료공학과
저자: 김선태, 대전산업대학교 재료공학과
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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