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CVD증착에 의한 인버티드 스태거형 TFT의 전압 전류 특성 = Current and voltage characteristics of inverted staggered type amorphous silicon thin film transistor by chemical vapour deposition
표제/저자사항 CVD증착에 의한 인버티드 스태거형 TFT의 전압 전류 특성 = Current and voltage characteristics of inverted staggered type amorphous silicon thin film transistor by chemical vapour deposition / 이우선, 박진성, 이종국
형태사항 p. 1008-1012: 삽도; 26 cm
주기사항 수록자료: 電氣電子材料學會誌. 韓國電氣電子材料學會. 9卷 10號(1996년 12월), p. 1008-1012 9:10<1008 상세보기 ISSN 1225-6684
저자: 이우선, 조선대학교 공대 전기공학과
저자: 박진성, 조선대학교 공대 재료공학과
저자: 이종국, 조선대학교 공대 재료공학과
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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