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연속성장법에 의한 Silicon 단결정 연속성장 = Silicon single crystal growth by continuous crystal growth method
표제/저자사항 연속성장법에 의한 Silicon 단결정 연속성장 = Silicon single crystal growth by continuous crystal growth method / 인서환, 최성철
형태사항 p. 117-124; 29 cm
주기사항 수록자료: Journal of the Korean crystal growth and crystal technology. 韓國結晶成長學會. 3권 2호(1993년 12월), p. 117-124 3:2<117 상세보기 ISSN 1225-1429
저자: 인서환, 한양대학교 무기재료공학과
저자: 최성철, 한양대학교 무기재료공학과
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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