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MBE 성장온도에 따른 GaAs 및 AlGaAs의 전기광학적 특성 = Growth and characterization of GaAs and AlGaAs with MBE growth temperature
표제/저자사항 MBE 성장온도에 따른 GaAs 및 AlGaAs의 전기광학적 특성 = Growth and characterization of GaAs and AlGaAs with MBE growth temperature / 이승웅, 조훈영, 김은규, 민석기, 박정호
형태사항 p. 11-20; 29 cm
주기사항 수록자료: Journal of the Korean crystal growth and crystal technology. 韓國結晶成長學會. 4권 1호(1994년 3월), p. 11-20 4:1<11 상세보기 ISSN 1225-1429
저자: 이승웅, 고려대학교 전자공학과
저자: 조훈영, 한국과학기술연구원 반도체재료연구실
저자: 김은규, 한국과학기술연구원 반도체재료연구실
저자: 민석기, 한국과학기술연구원 반도체재료연구실
저자: 박정호, 고려대학교 전자공학과
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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