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승화법에 의한 6H-SiC 단결정 성장2, 내부 결함 해석 = 6H-SiC single crystal growth by the sublimation method, (the)analysis of internal defects
표제/저자사항 승화법에 의한 6H-SiC 단결정 성장2, 내부 결함 해석 = 6H-SiC single crystal growth by the sublimation method, (the)analysis of internal defects / 김화목, 강승민, 주경, 심광보, 오근호
형태사항 p. 191-196; 29 cm
주기사항 수록자료: Journal of the Korean crystal growth and crystal technology. 韓國結晶成長學會. 7권 2호(1997년 5월), p. 191-196 7:2<191 상세보기 ISSN 1225-1429
저자: 김화목, 한양대학교 세라믹공학과
저자: 강승민, 영도기술연구소
저자: 주경, 영도기술연구소
저자: 심광보, 한양대학교 세라믹공학과
저자: 오근호, 한양대학교 세라믹공학과
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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