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실리콘 단결정내의 grown-in 결함 분포에 관한 고찰 = Investigation of grown-in defects distribution in Si single crystal
표제/저자사항 실리콘 단결정내의 grown-in 결함 분포에 관한 고찰 = Investigation of grown-in defects distribution in Si single crystal / 이보영, 황돈하, 유학도, 권오종
형태사항 p. 539-543; 29 cm
주기사항 수록자료: Journal of the Korean crystal growth and crystal technology. 韓國結晶成長學會. 8권 4호(1998년 11월), p. 539-543 8:4<539 상세보기 ISSN 1225-1429
저자: 이보영, LG 실트론 연구소
저자: 황돈하, LG 실트론 연구소
저자: 유학도, LG 실트론 연구소
저자: 권오종, 경북대학교 금속공학과
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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