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승화법에 의한 SiC 단결정 성장에서 성장 step의 형성에 관한 연구 = (The)study on the formation of growth steps in the sublimation growth of SiC single crystals
표제/저자사항 승화법에 의한 SiC 단결정 성장에서 성장 step의 형성에 관한 연구 = (The)study on the formation of growth steps in the sublimation growth of SiC single crystals / 강승민
형태사항 p. 1-5; 29 cm
주기사항 수록자료: Journal of the Korean crystal growth and crystal technology. 韓國結晶成長學會. 11권 1호(2001년 2월), p. 1-5 11:1<1 상세보기 ISSN 1225-1429
저자: 강승민, 한서대학교 재료공학과 신소재연구소
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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