기사
Fabrication of C$$r^{3+}$$< / TEX> doped sapphire single crystal by high temperature and pressure acceleration method = 고온가압 확산법에 의한 C$$r^{3+}$$< / TEX> 고용 사파이어 단결정의 제조
표제/저자사항 Fabrication of C$$r^{3+}$$< / TEX> doped sapphire single crystal by high temperature and pressure acceleration method = 고온가압 확산법에 의한 C$$r^{3+}$$< / TEX> 고용 사파이어 단결정의 제조 / E.S. Choi, C.H. Jung, M.K. Kim, H.T. Kim, J.Y. Hong, Y.T. Kim
형태사항 p. 29-33; 29 cm
주기사항 수록자료: Journal of the Korean crystal growth and crystal technology. 韓國結晶成長學會. 9권 1호(1999년 2월), p. 29-33 9:1<29 상세보기 ISSN 1225-1429
저자: E.S. Choi, Institute of Ceramic Technology,NITQ
저자: C.H. Jung, Institute of Ceramic Technology,NITQ
저자: M.K. Kim, Institute of Ceramic Technology,NITQ
저자: H.T. Kim, Institute of Ceramic Technology,NITQ
저자: J.Y. Hong, Department of Materials Engineering, Kyonggi University
저자: Y.T. Kim, Department of Materials Engineering, Kyonggi University
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
위로