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실리콘 웨이퍼에서의 산소석출 거동 해석 = Study on oxygen precipitation behavior in Si wafers
표제/저자사항 실리콘 웨이퍼에서의 산소석출 거동 해석 = Study on oxygen precipitation behavior in Si wafers / 이보영, 황돈하, 유학도, 권오종
형태사항 p. 84-88; 29 cm
주기사항 수록자료: Journal of the Korean crystal growth and crystal technology. 韓國結晶成長學會. 9권 1호(1999년 2월), p. 84-88 9:1<84 상세보기 ISSN 1225-1429
저자: 이보영, LG 실트론 연구소
저자: 황돈하, LG 실트론 연구소
저자: 유학도, LG 실트론 연구소
저자: 권오종, 경북대학교 금속공학과
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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