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승화법에 의한 SiC 단결정 육성 = 6H-SiC single crystal growth by sublimation process
표제/저자사항
승화법에 의한 SiC 단결정 육성 = 6H-SiC single crystal growth by sublimation process / 강승민오근호
형태사항
p. 50-59; 29cm
주기사항
수록자료: Journal of the Korean crystal growth and crystal technology. 韓國結晶成長學會. 5권 1호(1995年 3월), p. 50-59 5:1<50 상세보기 ISSN 1225-1429
저자: 강승민, 한양대학교 무기재료공학과
저자: 오근호, 한양대학교 무기재료공학과
저자: 강승민, 한양대학교 무기재료공학과
저자: 오근호, 한양대학교 무기재료공학과
출처
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24500▼a생명이란 무엇인가? :▼b생명·환경·문화 8월 대 토론회 /▼d주최: 토지문화재단 ;▼e주관: 한국생명윤리학회,▼e토지문화관
260 ▼a원주 :▼b토지문화재단,▼c2001
300 ▼a81 p. ;▼c30 cm
500 ▼a일시 및 장소: 2001년 8월 18일(토) ~ 19일(일), 토지문화관
504 ▼a참고문헌 수록
650 8▼a생명 과학[生命科學]
650 8▼a생명론[生命論]
710 ▼a토지문화재단
710 ▼a한국생명윤리학회
710 ▼a토지문화관
9501 ▼a가격불명
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
