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SiC 승화 성장시 성장 계면에서의 step 성장과 결함 생성 = Step growth and defects formation on growth interface for SiC sublimation growth
표제/저자사항
SiC 승화 성장시 성장 계면에서의 step 성장과 결함 생성 = Step growth and defects formation on growth interface for SiC sublimation growth / 강승민
형태사항
p. 558-562; 29 cm
주기사항
수록자료: Journal of the Korean crystal growth and crystal technology. 韓國結晶成長學會. 9권 6호(1999년 12월), p. 558-562 9:6<558 상세보기 ISSN 1225-1429
저자: 강승민, 한서대학교 재료공학과
저자: 강승민, 한서대학교 재료공학과
출처
국립중앙도서관 바로가기
MARC 보기
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24500▼a생명이란 무엇인가? :▼b생명·환경·문화 8월 대 토론회 /▼d주최: 토지문화재단 ;▼e주관: 한국생명윤리학회,▼e토지문화관
260 ▼a원주 :▼b토지문화재단,▼c2001
300 ▼a81 p. ;▼c30 cm
500 ▼a일시 및 장소: 2001년 8월 18일(토) ~ 19일(일), 토지문화관
504 ▼a참고문헌 수록
650 8▼a생명 과학[生命科學]
650 8▼a생명론[生命論]
710 ▼a토지문화재단
710 ▼a한국생명윤리학회
710 ▼a토지문화관
9501 ▼a가격불명
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
