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균일침전법에 의한 Ga₂O₃:E$$u^{3+}$$< / TEX> 형광체의 제조 = Preparation of Ga₂O₃:E$$u^{3+}$$< / TEX>phosphors by homogeneous precipitation
표제/저자사항 균일침전법에 의한 Ga₂O₃:E$$u^{3+}$$< / TEX> 형광체의 제조 = Preparation of Ga₂O₃:E$$u^{3+}$$< / TEX>phosphors by homogeneous precipitation / 천민호, 박인용, 이종원, 김선태
형태사항 p. 149-156; 29 cm
주기사항 수록자료: Journal of the Korean crystal growth and crystal technology. 韓國結晶成長物學會. 12권 3호(2002년 6월), p. 149-156 12:3<149 상세보기 ISSN 1225-1429
저자: 천민호, 한밭대학교 신소재공학부
저자: 박인용, 한밭대학교 신소재공학부, Corresponding author E-MAIL: iypark@hanbat.ac.kr
저자: 이종원, 한밭대학교 신소재공학부
저자: 김선태, 한밭대학교 신소재공학부
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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