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저온 MBE법에 의해 성장된 GaAs 에피층의 특성연구 = (A) study on the properties of GaAs grown by molecular beam epitaxy at low temperature
표제/저자사항
저온 MBE법에 의해 성장된 GaAs 에피층의 특성연구 = (A) study on the properties of GaAs grown by molecular beam epitaxy at low temperature / 연구기관명: 한국과학기술연구원 ; 연구책임자: 김현수, 김은규 ; 책임연구원: 민석기, 서상희 ; 선임연구원: 김용태, 김용, 조훈영 ; 연구원: 엄경숙 ; 위촉연구원: 이호섭, 이승웅, 김태근
발행사항
[서울] : 한국과학기술연구원, 1992
형태사항
67 p. : 삽화, 도표 ; 25 cm
주기사항
영어 요약 있음
분류기호
한국십진분류법-> 569.4듀이십진분류법-> 621.38152
주제명
반도체 소자[半導體素子]
출처
국립중앙도서관 바로가기
MARC 보기
001KMO201509136
00520150303111639
007ta
008150107s2001 gak 100 kor
0490 ▼lEM6076783▼lEM6076784▼c2▼fSY
05201▼a470▼b15-3
056 ▼a470▼26
08201▼a570▼223
24500▼a생명이란 무엇인가? :▼b생명·환경·문화 8월 대 토론회 /▼d주최: 토지문화재단 ;▼e주관: 한국생명윤리학회,▼e토지문화관
260 ▼a원주 :▼b토지문화재단,▼c2001
300 ▼a81 p. ;▼c30 cm
500 ▼a일시 및 장소: 2001년 8월 18일(토) ~ 19일(일), 토지문화관
504 ▼a참고문헌 수록
650 8▼a생명 과학[生命科學]
650 8▼a생명론[生命論]
710 ▼a토지문화재단
710 ▼a한국생명윤리학회
710 ▼a토지문화관
9501 ▼a가격불명
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
