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MOCVD법으로 성장된 이종접합에피층의 전기광학적 특성 = Electro-optical properties of heterojunction layers grown by MOCVD
표제/저자사항 MOCVD법으로 성장된 이종접합에피층의 전기광학적 특성 = Electro-optical properties of heterojunction layers grown by MOCVD / 연구기관명: 한국과학기술연구원 ; 연구책임자: 김현수, 김은규 ; 책임연구원: 민석기 ; 선임연구원: 김무성, 김용태 ; 연구원: 조훈영, 김용, 김성일, 김춘근
발행사항 [서울] : 한국과학기술연구원, 1990
형태사항 88 p. : 삽화, 도표 ; 25 cm
총서사항 (BSE ; 1025-3832-4)
주기사항 참고문헌: p. 84-88
영어 요약 있음
분류기호 한국십진분류법-> 427.622듀이십진분류법-> 537.622
주제명 반도체 박막[半導體薄膜]
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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