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Epitaxial buried layer를 사용한 CMOS IC에서의 LATCHUP특성
표제/저자사항 Epitaxial buried layer를 사용한 CMOS IC에서의 LATCHUP특성 / 徐榮周
형태사항 p. 343-354; 27 cm
주기사항 수록자료: 論文集-忠淸實業專門大學. 忠淸實業專門大學. 第6輯(1990), p 343-354 6<343 상세보기
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담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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