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SiF₄및 H₂gas를 이용하여 제조된 다결정 실리콘 박막에서의 기판에 따른 stress 특성변화 = Substrate-dependent stress relaxation of polycrystalline silicon films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition using SiF₄and H₂
표제/저자사항 SiF₄및 H₂gas를 이용하여 제조된 다결정 실리콘 박막에서의 기판에 따른 stress 특성변화 = Substrate-dependent stress relaxation of polycrystalline silicon films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition using SiF₄and H₂ / 이창우, 고민경, 우상록
형태사항 p. 151-160; 26 cm
주기사항 수록자료: (基礎科學硏究所)論文集-國民大學校. 國民大學校出版部. 15輯(1996年), p. 151-160 15<151 상세보기 ISSN 1226-0002
저자: 이창우, 국민대학교 자연과학대학 물리학과 조교수(이학박사) E-MAIL: cwlee@phys.kookmin.ac.kr
저자: 고민경, 국민대학교 대학원 물리학과 원생
저자: 우상록, 국민대학교 대학원 물리학과 원생
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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