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MBE법으로 성장된 CdTe(211) / Si 기판을 이용한 MOVPE HgCdTe 박막의 특성 향상 = Improvement of HgCdTe qualities grown by MOVPE using MBE grown CdTe / Si as substrate
표제/저자사항 MBE법으로 성장된 CdTe(211) / Si 기판을 이용한 MOVPE HgCdTe 박막의 특성 향상 = Improvement of HgCdTe qualities grown by MOVPE using MBE grown CdTe / Si as substrate / 김진상, 서상희, S. Sivananthan
형태사항 p. 282-288; 26 cm
주기사항 수록자료: 센서학회지. 한국센서학회. 12권 6호(2003년 11월), p. 282-288 12:6<282 상세보기 ISSN 1225-5475
저자: 김진상, 한국과학기술연구원 박막기술연구센터
저자: 서상희, 한국과학기술연구원 21c 프론티어사업 나노소재기술개발사업단
저자: S. Sivananthan, Microphysics Lab, Dep. of Physics, University of Illinois at Chicago
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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