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BCl₃기반 가스를 이용한 GaAs의 고밀도 평판형 유도결합 플라즈마 식각 = High density planar inductively coupled plasma etching of GaAs in BCl₃-based chemistries
표제/저자사항 BCl₃기반 가스를 이용한 GaAs의 고밀도 평판형 유도결합 플라즈마 식각 = High density planar inductively coupled plasma etching of GaAs in BCl₃-based chemistries / 임완태, 백인규, 유승열, 이제원, 조관식, 전민현, S.J. Pearton
형태사항 p. 418-422; 26 cm
주기사항 수록자료: 한국표면공학회지. 한국표면공학회. 36권 5호(2003년 10월), p. 418-422 36:5<418 상세보기 ISSN 1225-8024
저자: 임완태, 인제대학교 나노공학부/나노기술 응용연구소
저자: 백인규, 인제대학교 나노공학부/나노기술 응용연구소
저자: 유승열, 인제대학교 나노공학부/나노기술 응용연구소
저자: 이제원, 인제대학교 나노공학부/나노기술 응용연구소 E-MAIL: jwlee@inje.ac.kr
저자: 조관식, 인제대학교 나노공학부/나노기술 응용연구소
저자: 전민현, 인제대학교 나노공학부/나노기술 응용연구소
저자: S.J. Pearton, Department of Materials Sci. and Eng., University of Florida
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담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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