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이온 주입에 의한 다결정 실리콘의 응력 구배 완화 및 물성 개선 = Stress gradient relaxation and property modification of polysilicon films by ion implantation
표제/저자사항 이온 주입에 의한 다결정 실리콘의 응력 구배 완화 및 물성 개선 = Stress gradient relaxation and property modification of polysilicon films by ion implantation / 석지원, 강태준, 이상준, 이재형, 이재상, 한준희, 이호영, 김용협
형태사항 p. 73-78; 26 cm
주기사항 수록자료: 韓國航空宇宙學會誌. 韓國航空宇宙學會. 제31권 10호(2003년 12월), p. 73-78 31:10<73 상세보기 ISSN 1225-1348
저자: 석지원, 서울대학교 기계항공공학부
저자: 강태준, 서울대학교 기계항공공학부
저자: 이상준, 서울대학교 기계항공공학부
저자: 이재형, 한국원자력연구소
저자: 이재상, 한국원자력연구소
저자: 한준희, 한국표준과학연구원
저자: 이호영, 정회원, 서울대학교 기계항공공학부
저자: 김용협, 정회원, 서울대학교 기계항공공학부 E-MAIL: yongkim@snu.ac.kr
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담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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