기사
In situ Er 도핑된 GaN와 Er이 이온 주입된 GaN의 PL과 PLE 비교에 대한 연구 = Comparison of in-situ Er-doped GaN with Er-implanted GaN using photoluminescence and photoluminescence excitation spectroscope
표제/저자사항 In situ Er 도핑된 GaN와 Er이 이온 주입된 GaN의 PL과 PLE 비교에 대한 연구 = Comparison of in-situ Er-doped GaN with Er-implanted GaN using photoluminescence and photoluminescence excitation spectroscope / 김현석, 성만영, 김상식
형태사항 p. 89-96; 26 cm
주기사항 수록자료: 전기전자재료학회 논문지. 한국전기전자재료학회. Vol.16 no.2(2003년 2월), p. 89-96 16:2<89 상세보기 ISSN 1226-7945
저자: 김현석, 고려대학교 전기공학과
저자: 성만영, 고려대학교 전기공학과
저자: 김상식, 고려대학교 전기공학과 E-MAIL: sangsig@korea.ac.kr
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
위로