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Hot wall epitaxy(HWE)법에 의한 CuAlSe₂단결정 박막 성장과 열처리 효과 = (The)effect of thermal annealing and growth of CuAlSe₂single crystal thin film by hot wall epitaxy
표제/저자사항 Hot wall epitaxy(HWE)법에 의한 CuAlSe₂단결정 박막 성장과 열처리 효과 = (The)effect of thermal annealing and growth of CuAlSe₂single crystal thin film by hot wall epitaxy / 윤석진, 정태수, 이우선, 박진성, 신동찬, 홍광준, 이봉주
형태사항 p. 871-880; 26 cm
주기사항 수록자료: 전기전자재료학회 논문지. 한국전기전자재료학회. Vol.16 no.10(2003년 10월), p. 871-880 16:10<871 상세보기 ISSN 1226-7945
저자: 윤석진, 조선대학교 화학교육과
저자: 정태수, 전북대학교 물리학과
저자: 이우선, 조선대학교 전기공학과
저자: 박진성, 조선대학교 신소재공학과
저자: 신동찬, 조선대학교 신소재공학과
저자: 홍광준, 조선대학교 물리학과 E-MAIL: kjhong@mail.chosun.ac.kr
저자: 이봉주, 조선대학교 물리학과
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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