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BCI₃ / Ne 혼합가스를 이용한 Ⅲ-Ⅴ 반도체의 고밀도 유도결합 플라즈마 식각 = High density inductively coupled plasma etching of Ⅲ-Ⅴ semiconductors in BCl₃ / Ne chemistry
표제/저자사항 BCI₃ / Ne 혼합가스를 이용한 Ⅲ-Ⅴ 반도체의 고밀도 유도결합 플라즈마 식각 = High density inductively coupled plasma etching of Ⅲ-Ⅴ semiconductors in BCl₃ / Ne chemistry / 백인규, 임완태, 이제원, 조관식
형태사항 p. 1187-1194; 26 cm
주기사항 수록자료: 전기전자재료학회 논문지. 한국전기전자재료학회. Vol.16 no.12s(2003년 12월), p. 1187-1194 16:12s<1187 상세보기 ISSN 1226-7945
저자: 백인규, 인제대학교 나노공학과/나노 기술 응용연구소
저자: 임완태, 인제대학교 나노공학과/나노 기술 응용연구소
저자: 이제원, 인제대학교 나노공학과/나노 기술 응용연구소 E-MAIL: jwlee@inje.ac.kr
저자: 조관식, 인제대학교 나노공학과/나노 기술 응용연구소
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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