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플라즈마 에칭으로 손상된 4H-실리콘 카바이드 기판위에 제작된 MOS 커패시터의 전기적 특성 = Electrical characterization of MOS (metal-oxide-semiconductor) capacitors on plasma etch-damaged 4H-silicon carbide
표제/저자사항
플라즈마 에칭으로 손상된 4H-실리콘 카바이드 기판위에 제작된 MOS 커패시터의 전기적 특성 = Electrical characterization of MOS (metal-oxide-semiconductor) capacitors on plasma etch-damaged 4H-silicon carbide / 조남규, 구상모, 우용득, 이상권
형태사항
p. 373-377; 26 cm
주기사항
수록자료: 전기전자재료학회 논문지. 한국전기전자재료학회. Vol.17 no.4(2004년 4월), p. 373-377 17:4<373 상세보기 ISSN 1226-7945
저자: 조남규, 전북대학교 반도체과학기술학과
저자: 구상모, NIST
저자: 우용득, 우석대학교 반도체전자공학과
저자: 이상권, 전북대학교 반도체과학기술학과 E-MAIL: sk_lee@chonbuk.ac.kr
저자: 조남규, 전북대학교 반도체과학기술학과
저자: 구상모, NIST
저자: 우용득, 우석대학교 반도체전자공학과
저자: 이상권, 전북대학교 반도체과학기술학과 E-MAIL: sk_lee@chonbuk.ac.kr
출처
국립중앙도서관 바로가기
MARC 보기
001KMO201509136
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008150107s2001 gak 100 kor
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24500▼a생명이란 무엇인가? :▼b생명·환경·문화 8월 대 토론회 /▼d주최: 토지문화재단 ;▼e주관: 한국생명윤리학회,▼e토지문화관
260 ▼a원주 :▼b토지문화재단,▼c2001
300 ▼a81 p. ;▼c30 cm
500 ▼a일시 및 장소: 2001년 8월 18일(토) ~ 19일(일), 토지문화관
504 ▼a참고문헌 수록
650 8▼a생명 과학[生命科學]
650 8▼a생명론[生命論]
710 ▼a토지문화재단
710 ▼a한국생명윤리학회
710 ▼a토지문화관
9501 ▼a가격불명
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
