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범용성 유도결합 플라즈마 식각장비를 이용한 깊은 실리콘 식각 = (The)development of deep silicon etch process with conventional inductively coupled plasma (ICP) etcher
표제/저자사항 범용성 유도결합 플라즈마 식각장비를 이용한 깊은 실리콘 식각 = (The)development of deep silicon etch process with conventional inductively coupled plasma (ICP) etcher / 조수범, 박세근, 오범환
형태사항 p. 701-707; 26 cm
주기사항 수록자료: 전기전자재료학회 논문지. 한국전기전자재료학회. Vol.17 no.7(2004년 7월), p. 701-707 17:7<701 상세보기 ISSN 1226-7945
저자: 조수범, 인하대학교 정보통신공학과
저자: 박세근, 인하대학교 정보통신공학과
저자: 오범환, 인하대학교 정보통신공학과 E-MAIL: obh@inha.ac.kr
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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