기사
양성자 조사법에 의한 고속스위칭 사이리스터의 제조 = Fabrication of a fast switching thyristor by proton irradiation method
표제/저자사항 양성자 조사법에 의한 고속스위칭 사이리스터의 제조 = Fabrication of a fast switching thyristor by proton irradiation method / 김은동, 장창리, 김상철, 김남균
형태사항 p. 1264-1270; 26 cm
주기사항 수록자료: 전기전자재료학회 논문지. 한국전기전자재료학회. Vol.17 no.12(2004년 12월), p. 1264-1270 17:12<1264 상세보기 ISSN 1226-7945
저자: 김은동, 전력반도체연구그룹, 한국전기연구원 E-MAIL: edkim@keri.re.kr
저자: 장창리, 전력반도체연구그룹, 한국전기연구원
저자: 김상철, 전력반도체연구그룹, 한국전기연구원
저자: 김남균, 전력반도체연구그룹, 한국전기연구원
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
위로