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Pt / LiNbO₃ / AIN / Si(100) 구조를 이용한 MFIS 커패시터의 전기적 특성 = Electric properties of MFIS capacitors using Pt / LiNbO₃ / AIN / Si(100) structure
표제/저자사항 Pt / LiNbO₃ / AIN / Si(100) 구조를 이용한 MFIS 커패시터의 전기적 특성 = Electric properties of MFIS capacitors using Pt / LiNbO₃ / AIN / Si(100) structure / 정순원, 김광호
형태사항 p. 1283-1288; 26 cm
주기사항 수록자료: 전기전자재료학회 논문지. 한국전기전자재료학회. Vol.17 no.12(2004년 12월), p. 1283-1288 17:12<1283 상세보기 ISSN 1226-7945
저자: 정순원, 청주대학교 일반대학원 전자공학과
저자: 김광호, 청주대학교 정보통신공학부 E-MAIL: khkim@cju.ac.kr
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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