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염소(chlorine)가 도입된 SiO₂ / Si 계면을 가지는 게이트 산화막의 특성 분석 = Characterization of gate oxides with a chlorine incorporated SiO₂ / Si interface
표제/저자사항 염소(chlorine)가 도입된 SiO₂ / Si 계면을 가지는 게이트 산화막의 특성 분석 = Characterization of gate oxides with a chlorine incorporated SiO₂ / Si interface / 유병곤, 유종선, 노태문, 남기수
형태사항 p. 188-198; 26 cm
주기사항 수록자료: 한국진공학회지. 韓國眞空學會. 2권 2호(1993년 5월), p. 188-198 2:2<188 상세보기 ISSN 1225-8822
저자: 유병곤, 한국전자통신연구소 반도체연구단
저자: 유종선, 한국전자통신연구소 반도체연구단
저자: 노태문, 한국전자통신연구소 반도체연구단
저자: 남기수, 한국전자통신연구소 반도체연구단
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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