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Ion-cut에 의한 SOI웨이퍼 제조에서의 양성자조사기구 = Proton implantation mechanism involved in the fabrication of SOI wafer by ion-cut process
표제/저자사항 Ion-cut에 의한 SOI웨이퍼 제조에서의 양성자조사기구 = Proton implantation mechanism involved in the fabrication of SOI wafer by ion-cut process / 우형주, 최한우, 김준곤, 지영용
형태사항 p. 1-8; 26 cm
주기사항 수록자료: 한국진공학회지. 韓國眞空學會. 13권 1호(2004년 3월), p. 1-8 13:1<1 상세보기 ISSN 1225-8822
저자: 우형주, 한국지질자원연구원, 입자빔응용팀 E-MAIL: hjwoo@kigam.re.kr
저자: 최한우, 한국지질자원연구원, 입자빔응용팀
저자: 김준곤, 한국지질자원연구원, 입자빔응용팀
저자: 지영용, 한국지질자원연구원, 입자빔응용팀
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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