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SiH₂Cl₂와 NH₃를 이용하여 원자층 증착법으로 형성된 실리콘 질화막의 특성 = (The)Characteristics of silicon nitride thin films prepared by atomic layer deposition method using SiH₂Cl₂and NH₃
표제/저자사항 SiH₂Cl₂와 NH₃를 이용하여 원자층 증착법으로 형성된 실리콘 질화막의 특성 = (The)Characteristics of silicon nitride thin films prepared by atomic layer deposition method using SiH₂Cl₂and NH₃ / 김운중, 한창희, 나사균, 이연승, 이원준
형태사항 p. 114-119; 26 cm
주기사항 수록자료: 한국진공학회지. 韓國眞空學會. 13권 3호(2004년 9월), p. 114-119 13:3<114 상세보기 ISSN 1225-8822
저자: 김운중, 세종대학교 신소재공학과
저자: 한창희, 한밭대학교 재료공학과
저자: 나사균, 한밭대학교 재료공학과
저자: 이연승, 한밭대학교 정보통신컴퓨터공학부
저자: 이원준, 세종대학교 신소재공학과 E-MAIL: wjlee@sejong.ac.kr
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담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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