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GaAs 및 CdZnTe 기판위에 MOVPE 법으로 성장된 HgCdTe 박막의 특성 = Characteristics of MOVPE grown HgCdTe on GaAs and CdZnTe substrates
표제/저자사항 GaAs 및 CdZnTe 기판위에 MOVPE 법으로 성장된 HgCdTe 박막의 특성 = Characteristics of MOVPE grown HgCdTe on GaAs and CdZnTe substrates / 김진상, 서상희
형태사항 p. 171-176 ; 26 cm
주기사항 수록자료: 韓國結晶學會誌. 한국결정학회. 12권 3호(2001년 9월), p. 171-176 12:3<171 상세보기 ISSN 1229-8700
저자: 김진상, 한국과학기술연구원 정보재료·소자연구센터
저자: 서상희, 한국과학기술연구원 정보재료·소자연구센터
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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