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InGaAs / InGaAsP 다중양자우물 레이저에서 변형이 문턱전류밀도에 미치는 효과 = Effects of the strain on the threshold current density in InGaAs / InGaAsP multiple quantum well lasers
표제/저자사항 InGaAs / InGaAsP 다중양자우물 레이저에서 변형이 문턱전류밀도에 미치는 효과 = Effects of the strain on the threshold current density in InGaAs / InGaAsP multiple quantum well lasers / 김동철, 유건호, 주흥로, 김형문, 김태환
형태사항 p. 111-116 ; 29 cm
주기사항 수록자료: 한국광학회지. 한국광학회. 9권 2호(1998년 4월), p. 111-116 9:2<111 상세보기 ISSN 1225-6285
저자: 김동철, 경희대학교 물리학과 및 기초과학연구소
저자: 유건호, 경희대학교 물리학과 및 기초과학연구소
저자: 주흥로, 한국전자통신연구원 광전자연구실
저자: 김형문, 한국전자통신연구원 광전자연구실
저자: 김태환, 광운대학교 물리학과
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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