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DLTS법을 이용한 양성자 조사된 Si 반도체 소자내의 결함상태 분석 = Study on defect states in proton irradiated Si device using by deep level transient spectroscopy
표제/저자사항
DLTS법을 이용한 양성자 조사된 Si 반도체 소자내의 결함상태 분석 = Study on defect states in proton irradiated Si device using by deep level transient spectroscopy / 김재훈, 이동욱, 김은규, 김채옥
형태사항
p. 63-70 ; 26 cm
주기사항
수록자료: 自然科學論文集-한양대학교. 漢陽大學校 自然科學硏究所. 24집(2004), p. 63-70 24<63 상세보기 ISSN 1226-1246
저자: 김재훈, 한양대학교 자연과학대학 물리학과
저자: 이동욱, 한양대학교 자연과학대학 물리학과
저자: 김은규, 한양대학교 자연과학대학 물리학과
저자: 김채옥, 한양대학교 자연과학대학 물리학과
저자: 김재훈, 한양대학교 자연과학대학 물리학과
저자: 이동욱, 한양대학교 자연과학대학 물리학과
저자: 김은규, 한양대학교 자연과학대학 물리학과
저자: 김채옥, 한양대학교 자연과학대학 물리학과
출처
국립중앙도서관 바로가기
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001KMO201509136
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24500▼a생명이란 무엇인가? :▼b생명·환경·문화 8월 대 토론회 /▼d주최: 토지문화재단 ;▼e주관: 한국생명윤리학회,▼e토지문화관
260 ▼a원주 :▼b토지문화재단,▼c2001
300 ▼a81 p. ;▼c30 cm
500 ▼a일시 및 장소: 2001년 8월 18일(토) ~ 19일(일), 토지문화관
504 ▼a참고문헌 수록
650 8▼a생명 과학[生命科學]
650 8▼a생명론[生命論]
710 ▼a토지문화재단
710 ▼a한국생명윤리학회
710 ▼a토지문화관
9501 ▼a가격불명
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
