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CHF₃ / C₂F₆ 반응성이온 건식식각에 의한 실리콘 표면의 변형에 관한 연구 = (A)Study on a silicon surface modification by CHF₃ / C₂F₆ reactive ion etching
표제/저자사항 CHF₃ / C₂F₆ 반응성이온 건식식각에 의한 실리콘 표면의 변형에 관한 연구 = (A)Study on a silicon surface modification by CHF₃ / C₂F₆ reactive ion etching / 박형호, 권광호, 곽병화, 이수민, 권오준, 김보우, 성영권
형태사항 p. 214-220 ; 30 cm
주기사항 수록자료: 한국재료학회지. 韓國材料學會. 1권 4호(1991년 12월), p. 214-220 1:4<214 상세보기 ISSN 1225-0562
저자: 박형호, 한국전자통신연구원 반도체연구단
저자: 권광호, 한국전자통신연구원 반도체연구단
저자: 곽병화, 한국전자통신연구원 반도체연구단
저자: 이수민, 한국전자통신연구원 반도체연구단
저자: 권오준, 한국전자통신연구원 반도체연구단
저자: 김보우, 한국전자통신연구원 반도체연구단
저자: 성영권, 고려대학교 전기공학과
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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