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高 indium 농도 InGaAs와 GaAs 박막간 계면에 관한 연구 = Studies of the interface between the high indium content InGaAs QW and GaAs layers
표제/저자사항 高 indium 농도 InGaAs와 GaAs 박막간 계면에 관한 연구 = Studies of the interface between the high indium content InGaAs QW and GaAs layers / 김삼동
형태사항 p. 84-89 ; 30 cm
주기사항 수록자료: 한국재료학회지. 韓國材料學會. 6권 1호(1996.1), p. 84-89 6:1<84 상세보기 ISSN 1225-0562
저자: 김삼동, 현대전자산업주식회사, 반도체 제1연구소
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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