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화학적 산화막을 이용한 epitaxial CoSi₂ 형성과 계면구조 = Formation and interface morphologies of the epitaxial CoSi₂ using the chemical oxide on Si(100) substrate
표제/저자사항
화학적 산화막을 이용한 epitaxial CoSi₂ 형성과 계면구조 = Formation and interface morphologies of the epitaxial CoSi₂ using the chemical oxide on Si(100) substrate / 신영철, 배철휘, 전형탁
형태사항
p. 912-917 ; 30 cm
주기사항
수록자료: 한국재료학회지. 韓國材料學會. 8권 10호(1998년 10월), p. 912-917 8:10<912 상세보기 ISSN 1225-0562
저자: 신영철, 한양대학교 금속공학과
저자: 배철휘, 한양대학교 금속공학과
저자: 전형탁, 한양대학교 금속공학과
저자: 신영철, 한양대학교 금속공학과
저자: 배철휘, 한양대학교 금속공학과
저자: 전형탁, 한양대학교 금속공학과
출처
국립중앙도서관 바로가기
MARC 보기
001KMO201509136
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24500▼a생명이란 무엇인가? :▼b생명·환경·문화 8월 대 토론회 /▼d주최: 토지문화재단 ;▼e주관: 한국생명윤리학회,▼e토지문화관
260 ▼a원주 :▼b토지문화재단,▼c2001
300 ▼a81 p. ;▼c30 cm
500 ▼a일시 및 장소: 2001년 8월 18일(토) ~ 19일(일), 토지문화관
504 ▼a참고문헌 수록
650 8▼a생명 과학[生命科學]
650 8▼a생명론[生命論]
710 ▼a토지문화재단
710 ▼a한국생명윤리학회
710 ▼a토지문화관
9501 ▼a가격불명
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
