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유기금속화학기상증착법으로 성장된 GaN / InGaN / GaN 단양자 우물층과 InGaN / GaN 이종접합 구조의 광학적 특징 = Relative absorption edges of GaN / InGaN / GaN single quantum wells and InGaN / GaN heterostructures by metalorganic chemical vapor deposition
표제/저자사항 유기금속화학기상증착법으로 성장된 GaN / InGaN / GaN 단양자 우물층과 InGaN / GaN 이종접합 구조의 광학적 특징 = Relative absorption edges of GaN / InGaN / GaN single quantum wells and InGaN / GaN heterostructures by metalorganic chemical vapor deposition / 김제원, 손창식, 장영근, 최인훈, 박영균, 김용태, O. Ambacher, M. Stutzmann
형태사항 p. 42-45 ; 30 cm
주기사항 수록자료: 한국재료학회지. 韓國材料學會. 9권 1호(1999년 1월), p. 42-45 9:1<42 상세보기 ISSN 1225-0562
저자: 김제원, 고려대학교 재료공학과
저자: 손창식, 고려대학교 재료공학과
저자: 장영근, 고려대학교 재료공학과
저자: 최인훈, 고려대학교 재료공학과
저자: 박영균, 한국과학기술연구원 반도체연구실
저자: 김용태, 한국과학기술연구원 반도체연구실
저자: O. Ambacher, Walter Schottky Institute, Technische Universität München
저자: M. Stutzmann, Walter Schottky Institute, Technische Universität München
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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