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MOCVD를 이용한 비평면구조 기판에서의 GaN 선택적 성장특성연구 = (A)study on the selective area growth of GaN on non-planar substrate by MOCVD
표제/저자사항 MOCVD를 이용한 비평면구조 기판에서의 GaN 선택적 성장특성연구 = (A)study on the selective area growth of GaN on non-planar substrate by MOCVD / 이재인, 금동화, 유지범
형태사항 p. 257-262 ; 30 cm
주기사항 수록자료: 한국재료학회지. 韓國材料學會. 9권 3호(1999년 3월), p. 257-262 9:3<257 상세보기 ISSN 1225-0562
저자: 이재인, 성균관대학교 재료공학과
저자: 금동화, 한국과학기술연구원 금속부
저자: 유지범, 성균관대학교 재료공학과
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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