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N₂ 가스 flow에 의한 LPCVD 방법으로 증착된 다결정 실리콘 박막의 산소농도 저하 = Reduction of oxygen concentration in the LPCVD polysilicon films deposited by N₂ gas-flow method
표제/저자사항 N₂ 가스 flow에 의한 LPCVD 방법으로 증착된 다결정 실리콘 박막의 산소농도 저하 = Reduction of oxygen concentration in the LPCVD polysilicon films deposited by N₂ gas-flow method / 안승준, 정민호
형태사항 p. 269-273 ; 30 cm
주기사항 수록자료: 한국재료학회지. 韓國材料學會. 9권 3호(1999년 3월), p. 269-273 9:3<269 상세보기 ISSN 1225-0562
저자: 안승준, 선문대학교 자연과학대학 물리학과
저자: 정민호, 선문대학교 자연과학대학 물리학과
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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