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게르마늄 prearmophization 이온주입을 이용한 티타늄 salicide 접합부 특성 개선 = Effects of the Ge preamorphization ion implantation on titanium salicide junctions
표제/저자사항 게르마늄 prearmophization 이온주입을 이용한 티타늄 salicide 접합부 특성 개선 = Effects of the Ge preamorphization ion implantation on titanium salicide junctions / 김삼동, 이성대, 이진구, 황인석, 박대규
형태사항 p. 812-818 ; 30 cm
주기사항 수록자료: 한국재료학회지. 韓國材料學會. 10권 12호(2000년 12월), p. 812-818 10:12<812 상세보기 ISSN 1225-0562
저자: 김삼동, 동국대학교 밀리미터파 신기술연구센터
저자: 이성대, 동국대학교 밀리미터파 신기술연구센터
저자: 이진구, 동국대학교 밀리미터파 신기술연구센터
저자: 황인석, 동국대학교 밀리미터파 신기술연구센터
저자: 박대규, 현대전자 산업주식회사 메모리 연구소
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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