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선형열처리를 이용한 Si(100) / Si₃N₄∥Si(100)기판쌍의 직접접합 = Direct bonding of Si(100) / Si₃N₄∥Si(100) wafers using fast linear annealing method
표제/저자사항 선형열처리를 이용한 Si(100) / Si₃N₄∥Si(100)기판쌍의 직접접합 = Direct bonding of Si(100) / Si₃N₄∥Si(100) wafers using fast linear annealing method / 이영민, 송오성, 이상현
형태사항 p. 427-430 ; 30 cm
주기사항 수록자료: 한국재료학회지. 韓國材料學會. 11권 5호(2001년 5월), p. 427-430 11:5<427 상세보기 ISSN 1225-0562
저자: 이영민, 서울시립대학교 재료공학과
저자: 송오성, 서울시립대학교 재료공학과
저자: 이상현, 서울시립대학교 재료공학과
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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