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열처리 온도에 따른 니켈실리사이드 실리콘 기판쌍의 직접접합 = Direct bonding of Si(100) / NiSi / Si(100) wafer pairs using nickel silicides with silicidation temperature
표제/저자사항
열처리 온도에 따른 니켈실리사이드 실리콘 기판쌍의 직접접합 = Direct bonding of Si(100) / NiSi / Si(100) wafer pairs using nickel silicides with silicidation temperature / 송오성, 안영숙, 이영민, 양철웅
형태사항
p. 556-561 ; 30 cm
주기사항
수록자료: 한국재료학회지. 韓國材料學會. 11권 7호(2001년 7월), p. 556-561 11:7<556 상세보기 ISSN 1225-0562
저자: 송오성, 서울시립대학교 재료공학과
저자: 안영숙, 서울시립대학교 재료공학과
저자: 이영민, 서울시립대학교 재료공학과
저자: 양철웅, 성균관대학교 재료공학과
저자: 송오성, 서울시립대학교 재료공학과
저자: 안영숙, 서울시립대학교 재료공학과
저자: 이영민, 서울시립대학교 재료공학과
저자: 양철웅, 성균관대학교 재료공학과
출처
국립중앙도서관 바로가기
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001KMO201509136
00520150303111639
007ta
008150107s2001 gak 100 kor
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056 ▼a470▼26
08201▼a570▼223
24500▼a생명이란 무엇인가? :▼b생명·환경·문화 8월 대 토론회 /▼d주최: 토지문화재단 ;▼e주관: 한국생명윤리학회,▼e토지문화관
260 ▼a원주 :▼b토지문화재단,▼c2001
300 ▼a81 p. ;▼c30 cm
500 ▼a일시 및 장소: 2001년 8월 18일(토) ~ 19일(일), 토지문화관
504 ▼a참고문헌 수록
650 8▼a생명 과학[生命科學]
650 8▼a생명론[生命論]
710 ▼a토지문화재단
710 ▼a한국생명윤리학회
710 ▼a토지문화관
9501 ▼a가격불명
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
