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암모니아를 이용하여 분자선에피탁시 방법으로 AlN / Si 기판에 성장시킨 GaN의 구조적, 광학적 특성 = Optical and structural properties of GaN grown on AlN / Si via molecular beam epitaxy using ammonia
표제/저자사항 암모니아를 이용하여 분자선에피탁시 방법으로 AlN / Si 기판에 성장시킨 GaN의 구조적, 광학적 특성 = Optical and structural properties of GaN grown on AlN / Si via molecular beam epitaxy using ammonia / 김경현, 홍성의, 강석준, 이상현, 김창수, 김도진, 한기평, 백문철
형태사항 p. 387-390 ; 30 cm
주기사항 수록자료: 한국재료학회지. 韓國材料學會. 12권 5호(2002년 5월), p. 387-390 12:5<387 상세보기 ISSN 1225-0562
저자: 김경현, 충남대학교 재료공학과, 자성재료연구센터 E-MAIL: khyun@cnu.ac.kr
저자: 홍성의, 한국전자통신연구원 광저장소자팀
저자: 강석준, 충남대학교 재료공학과, 자성재료연구센터
저자: 이상현, 충남대학교 재료공학과, 자성재료연구센터
저자: 김창수, 한국표준연구원 재료평가센터
저자: 김도진, 충남대학교 재료공학과, 자성재료연구센터
저자: 한기평, 한국전자통신연구원 광저장소자팀
저자: 백문철, 한국전자통신연구원 광저장소자팀
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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