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패키지된 실리콘-게르마늄 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 콜렉터 형성 조건에 따른 전기적 특성 = Electrical characteristics of the packaged SiGe hetero-junction bipolar transistors fabricated with various conditions of the collector formation
표제/저자사항 패키지된 실리콘-게르마늄 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 콜렉터 형성 조건에 따른 전기적 특성 = Electrical characteristics of the packaged SiGe hetero-junction bipolar transistors fabricated with various conditions of the collector formation / 이승윤, 이상흥, 김홍승, 박찬우, 김상훈, 이자열, 심규환, 강진영
형태사항 p. 470-475 ; 30 cm
주기사항 수록자료: 한국재료학회지. 韓國材料學會. 12권 6호(2002년 6월), p. 470-475 12:6<470 상세보기 ISSN 1225-0562
저자: 이승윤, 한국전자통신연구원 SiGe소자팀 E-MAIL: seungyun@etri.re.kr
저자: 이상흥, 한국전자통신연구원 SiGe소자팀
저자: 김홍승, 한국전자통신연구원 SiGe소자팀
저자: 박찬우, 한국전자통신연구원 SiGe소자팀
저자: 김상훈, 한국전자통신연구원 SiGe소자팀
저자: 이자열, 한국전자통신연구원 SiGe소자팀
저자: 심규환, 한국전자통신연구원 SiGe소자팀
저자: 강진영, 한국전자통신연구원 SiGe소자팀
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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