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유도결합 N₂O 플라즈마를 이용한 실리콘 산화막의 저온성장과 다결정 실리콘 박막 트랜지스터에의 영향 = Silicon oxidation in inductively-coupled N₂O plasma and its effect on polycrystalline-silicon thin film transistors
표제/저자사항 유도결합 N₂O 플라즈마를 이용한 실리콘 산화막의 저온성장과 다결정 실리콘 박막 트랜지스터에의 영향 = Silicon oxidation in inductively-coupled N₂O plasma and its effect on polycrystalline-silicon thin film transistors / 원만호, 김성철, 안진형, 김보현, 안병태
형태사항 p. 724-728 ; 30 cm
주기사항 수록자료: 한국재료학회지. 韓國材料學會. 12권 9호(2002년 9월), p. 724-728 12:9<724 상세보기 ISSN 1225-0562
저자: 원만호, 한국과학기술원 재료공학과
저자: 김성철, 한국과학기술원 재료공학과
저자: 안진형, 한국과학기술원 재료공학과
저자: 김보현, 한국과학기술원 재료공학과
저자: 안병태, 한국과학기술원 재료공학과 E-MAIL: btahn@kaist.ac.kr
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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