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BCl₃ 평판형 유도결합 플라즈마를 이용한 GaAs 건식식각 = Dry etching of GaAs in a planer inductively coupled BCI₃ plasma
표제/저자사항 BCl₃ 평판형 유도결합 플라즈마를 이용한 GaAs 건식식각 = Dry etching of GaAs in a planer inductively coupled BCI₃ plasma / 임완태, 백인규, 정필구, 이제원, 조관식, 이주인, 조국산, S.J. Pearton
형태사항 p. 266-270 ; 30 cm
주기사항 수록자료: 한국재료학회지. 韓國材料學會. 13권 4호(2003년 4월), p. 266-270 13:4<266 상세보기 ISSN 1225-0562
저자: 임완태, 인제대학교 나노공학부/ 나노기술 응용연구소
저자: 백인규, 인제대학교 나노공학부/ 나노기술 응용연구소
저자: 정필구, 인제대학교 나노공학부/ 나노기술 응용연구소
저자: 이제원, 인제대학교 나노공학부/ 나노기술 응용연구소 E-MAIL: jwlee@inje.ac.kr
저자: 조관식, 인제대학교 나노공학부/ 나노기술 응용연구소
저자: 이주인, 한국표준과학 연구소 나노표면 그룹
저자: 조국산, (주)클라이오텐
저자: S.J. Pearton, Department of Materials and Eng. University of Florida
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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