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SiH₂Cl₂와 O₃을 이용한 원자층 증착법에 의해 제조된 실리콘 산화막의 특성 = Characteristics of silicon oxide thin films prepared by atomic layer deposition using alternating exposures of SiH₂Cl₂ and O₃
표제/저자사항
SiH₂Cl₂와 O₃을 이용한 원자층 증착법에 의해 제조된 실리콘 산화막의 특성 = Characteristics of silicon oxide thin films prepared by atomic layer deposition using alternating exposures of SiH₂Cl₂ and O₃ / 이원준, 이주현, 한창희, 김운중, 이연승, 나사균
형태사항
p. 90-93 ; 30 cm
주기사항
수록자료: 한국재료학회지. 韓國材料學會. 14권 2호(2004년 2월), p. 90-93 14:2<90 상세보기 ISSN 1225-0562
저자: 이원준, 세종대학교 신소재공학과 E-MAIL: wjlee@sejong.ac.kr
저자: 이주현, 한국과학기술원 재료공학과
저자: 한창희, 한밭대학교 재료공학과
저자: 김운중, 세종대학교 신소재공학과
저자: 이연승, 한밭대학교 정보통신컴퓨터공학부
저자: 나사균, 한밭대학교 재료공학과
저자: 이원준, 세종대학교 신소재공학과 E-MAIL: wjlee@sejong.ac.kr
저자: 이주현, 한국과학기술원 재료공학과
저자: 한창희, 한밭대학교 재료공학과
저자: 김운중, 세종대학교 신소재공학과
저자: 이연승, 한밭대학교 정보통신컴퓨터공학부
저자: 나사균, 한밭대학교 재료공학과
출처
국립중앙도서관 바로가기
MARC 보기
001KMO201509136
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24500▼a생명이란 무엇인가? :▼b생명·환경·문화 8월 대 토론회 /▼d주최: 토지문화재단 ;▼e주관: 한국생명윤리학회,▼e토지문화관
260 ▼a원주 :▼b토지문화재단,▼c2001
300 ▼a81 p. ;▼c30 cm
500 ▼a일시 및 장소: 2001년 8월 18일(토) ~ 19일(일), 토지문화관
504 ▼a참고문헌 수록
650 8▼a생명 과학[生命科學]
650 8▼a생명론[生命論]
710 ▼a토지문화재단
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710 ▼a토지문화관
9501 ▼a가격불명
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
