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중수소 프라즈마 처리가 다결정 실리콘 TFT의 안정성에 미치는 영향에 관한 연구 = (A)study on the effect of plasma deuterium treatment on reliability of poly-silicon thin film transistors
표제/저자사항 중수소 프라즈마 처리가 다결정 실리콘 TFT의 안정성에 미치는 영향에 관한 연구 = (A)study on the effect of plasma deuterium treatment on reliability of poly-silicon thin film transistors / 손송호, 배성찬, 김동환
형태사항 p. 516-521 ; 30 cm
주기사항 수록자료: 한국재료학회지. 韓國材料學會. 14권 7호(2004년 7월), p. 516-521 14:7<516 상세보기 ISSN 1225-0562
저자: 손송호, 고려대학교 신소재공학과 E-MAIL: solar@korea.ac.kr
저자: 배성찬, 경북대학교 전자공학과
저자: 김동환, 고려대학교 신소재공학과
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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