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고밀도 평판형 유도결합 BCl₃ / SF₆ 플라즈마를 이용한 GaAs / AlGaAs와 InGaP 반도체의 선택적 식각에 관한 연구 = Study of selective etching of GaAs over AlGaAs and InGaP semiconductors in high density planar inductively coupled BCl₃ / SF₆ plasmas
표제/저자사항 고밀도 평판형 유도결합 BCl₃ / SF₆ 플라즈마를 이용한 GaAs / AlGaAs와 InGaP 반도체의 선택적 식각에 관한 연구 = Study of selective etching of GaAs over AlGaAs and InGaP semiconductors in high density planar inductively coupled BCl₃ / SF₆ plasmas / 유승열, 류현우, 임완태, 이제원, 조관식, 전민현, 송한정, 이봉주, 고종수, 고정상, S.J. Pearton
형태사항 p. 161-165 ; 30 cm
주기사항 수록자료: 한국재료학회지. 韓國材料學會. 15권 3호(2005년 3월), p. 161-165 15:3<161 상세보기 ISSN 1225-0562
저자: 유승열, 인제대학교 나노공학부, 나노기술 응용연구소
저자: 류현우, 인제대학교 나노공학부, 나노기술 응용연구소
저자: 임완태, 인제대학교 나노공학부, 나노기술 응용연구소
저자: 이제원, 인제대학교 나노공학부, 나노기술 응용연구소 E-MAIL: jwlee@inje.ac.kr
저자: 조관식, 인제대학교 나노공학부, 나노기술 응용연구소
저자: 전민현, 인제대학교 나노공학부, 나노기술 응용연구소
저자: 송한정, 인제대학교 나노공학부, 나노기술 응용연구소
저자: 이봉주, 한국 기초과학 지원연구원 핵융합 연구개발 사업단
저자: 고종수, 부산대학교 기계공학부
저자: 고정상, 부산대학교 기계공학부
저자: S.J. Pearton, Department of Materials Sci. and Eng., University of Florida
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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